|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
|
|
49.08
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
168
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100R |
|
Резистор SMD, 0805, 100 Ом, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100R |
|
Резистор SMD, 0805, 100 Ом, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07100R |
|
Резистор SMD, 0805, 100 Ом, 0.125Вт, 5%
|
TAITRON COMPONENTS
|
3 636
|
|
|
|
|
RC0805JR-0722R |
|
Резистор SMD, 0805, 22 Ом, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0722R |
|
Резистор SMD, 0805, 22 Ом, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07470RL |
|
|
YAGEO
|
760 784
|
1.00
>1000 шт. 0.20
|
|
|
|
RC0805JR-07470RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
9 582
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 120
|
21.70
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|