| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
|
|
320.00
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
США
|
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
ATMEL CORPORATION
|
6
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
MICRO CHIP
|
168
|
795.56
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
545
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 530
|
1.28
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 685
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
428 023
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
469 403
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
332
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
30 246
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
4 800
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
86 524
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
121 769
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
249 360
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
132 000
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
LD1117DT33CTR |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A, 0 to +125C, D-PAK(TO-252))
|
ST MICROELECTRONICS
|
33
|
15.50
|
|
|
|
|
LD1117DT33CTR |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A, 0 to +125C, D-PAK(TO-252))
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33CTR |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A, 0 to +125C, D-PAK(TO-252))
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33CTR |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A, 0 to +125C, D-PAK(TO-252))
|
|
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33CTR |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A, 0 to +125C, D-PAK(TO-252))
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
LD1117DT33CTR |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A, 0 to +125C, D-PAK(TO-252))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
603
|
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
|
319
|
200.00
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
NSC
|
4
|
472.38
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
YOUTAI
|
275
|
28.06
|
|
|
|
LM2596S-3.3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
596
|
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
BM
|
767
|
3.10
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
400
|
13.27
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
RUICHI
|
11
|
3.75
|
|