PMV65XP
P-channel trenchmos™ extremely low level fet
|
|
Версия для печати
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 725pF @ 20V |
| Power - Max | 1.92W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PMV65XP (MOSFET) P-channel TrenchMOS™ extremely low level FET
Производитель:
|
