|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 830mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 43pF @ 25V |
| Power - Max | 560mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70 |
|
PMF400UN (N-канальные транзисторные модули) N-channel and#181;TrenchMOSTM ultra low level FET
Производитель:
|