Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | External |
Преобразователи данных | A/D 5x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 4 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 128 x 8 |
EEPROM Size | 64 x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
Число вводов/выводов | 22 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Подключения | UART/USART |
Скорость | 20MHz |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | PIC |
Серия | PIC® 16F |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 370
|
11.83
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
612
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
35.91
|
|
|
|
NE556N |
|
|
|
|
33.68
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
16
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS
|
848
|
29.26
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
422
|
|
|
|
|
RNF18FTD82K5 |
|
|
Stackpole Electronics Inc
|
|
|
|
|
|
К10-17А-0.1 Н50 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
|
|
44.84
|
|
|
|
КТ 3107 А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|