PHD3055E
Trenchmos (tm) standard level fet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Power - Max | 33W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PHD3055E (MOSFET) TrenchMOS (tm) standard level FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AE-ISP-U1 |
|
адаптер для внутрисхемного программирования |
|
2 172.00 | |||
|
|
AE-ISP-U1 |
|
адаптер для внутрисхемного программирования | ФИТОН |
|
|
||
| B82477R4104M100 | EPCOS |
|
|
|||||
| B82477R4104M100 |
|
|
||||||
| B82477R4104M100 | TDK-EPC |
|
|
|||||
| КТ 818БМ |
|
|
||||||
 |
 |
КТ805А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры NPN переключательный | 45 | 83.25 | ||
|
|
|
КТ805А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры NPN переключательный | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ805А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры NPN переключательный | ВЗПП |
|
|
|
 |
КТ819БМ | 34 | 128.52 | |||||
|
|
КТ819БМ | КРЕМНИЙ | 26 | 983.81 | ||||
|
|
КТ819БМ | БРЯНСК | 173 | 84.80 | ||||
|
|
КТ819БМ | УЛЬЯНОВСК |
|
|
||||
|
|
КТ819БМ | 162 |
|
|
||||
|
|
КТ819БМ | 60 |
|
|
||||
|
|
КТ819БМ | 65 |
|
|
