PH3855L

Версия для печати

Технические характеристики PH3855L

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	765pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH3855L (MOSFET)

N-channel TrenchMOS(tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PH3855L datasheet
83.8 Кб