PH16030L

Версия для печати

Технические характеристики PH16030L

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.9 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	38A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	680pF @ 12V
Power - Max	41.6W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH16030L (MOSFET)

N-channel TrenchMOS(tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PH16030L datasheet
91.3 Кб