PDTD123EK

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTD123EK (PHILIPS.)	4 363	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTD123EK

Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SMT3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTD123E

NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW

Также в этом файле: PDTD123EK

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTD123EK datasheet
66.85Kb
10стр.