PBSS8110AS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS8110AS (PHILIPS.)	39 373	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS8110AS

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	150 @ 250mA, 10V
Power - Max	830mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBSS8110AS (Универсальные биполярные транзисторы)

100 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBSS8110AS datasheet
53.57Kb
7стр.