PBSS4160K

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS4160K (NXP.)	3 000	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4160K

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	750mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	280mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 5V
Power - Max	425mW
Frequency - Transition	220MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SMT3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBSS4160K (Биполярные транзисторы)

60 V, 1A NPN Low Vcesat (BISS) Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBSS4160K datasheet
97.35Kb
12стр.