PBSS4130T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS4130T (PHILIPS.)	842	3-4 недели Цена по запросу
PBSS4130T (NXP.)	3 096	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4130T

Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	270mV @ 50mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 500mA, 2V
Power - Max	480mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBSS4130T (Универсальные биполярные NPN транзисторы)

30 V, 1A Npn Low Vcesat (biss) Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBSS4130T datasheet
50.01Kb
7стр.