MTD6N15
Power field effect transistor dpak for surface mount n?channel enhancement?mode silicon gate
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MTD6N15 (MOSFET) Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N?Channel Enhancement?Mode Silicon Gate
Производитель:
|
