| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
DC COMPONENTS
|
9 636
|
10.66
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
|
6 240
|
6.17
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WTE
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MIC
|
4 209
|
8.01
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
JS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WUXI XUYANG
|
1 260
|
12.22
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE
|
8 560
|
7.37
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY MICROELECTRONICS CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KOME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
HOTTECH
|
658
|
5.36
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
1
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
XUYANG
|
1 032
|
7.05
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KEEN SIDE
|
8
|
4.32
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
VISHAY
|
2 205
|
65.81
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
|
7 377
|
17.19
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
33
|
29.47
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
429
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
|
3
|
71.82
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
576
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
168
|
28.25
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
7 610
|
19.61
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 520
|
21.41
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
212
|
55.26
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
32 548
|
30.45
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
23.79
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
912
|
15.63
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
1 323
|
15.48
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
HOTTECH
|
488 800
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
TRR
|
350 400
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
MERRYELC
|
1 551 556
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
ZHIDE
|
187
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|