| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
DC COMPONENTS
|
5 888
|
15.08
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
|
2 000
|
6.17
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WTE
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MIC
|
2 968
|
13.70
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
JS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WUXI XUYANG
|
1 500
|
11.04
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE
|
8 480
|
6.75
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY MICROELECTRONICS CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KOME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
HOTTECH
|
134
|
22.73
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
1
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
XUYANG
|
376
|
14.97
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
VISHAY
|
2 205
|
46.91
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
|
7 377
|
15.89
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
31
|
29.47
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
429
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
|
1
|
71.82
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
576
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
6 338
|
20.02
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
1 950
|
24.27
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 412
|
20.34
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
191
|
49.91
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
24 227
|
27.51
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
21.79
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TRR
|
4 080
|
14.45
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
ZHIDE
|
|
|
|