MJD210

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MJD210 (ON SEMICONDUCTOR.)	5 182	3-4 недели Цена по запросу
MJD210		181.20

Версия для печати

Технические характеристики MJD210

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.8V @ 1A, 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	45 @ 2A, 1V
Power - Max	1.4W
Frequency - Transition	65MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MJD210

Complementary Plastic Power Transistors NPN / PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MJD210 datasheet
112.14Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74LVC1G86DCK		TEXAS
74LVC1G86DCK				20.00
74LVC1G86DCK				20.00
74LVC1G86DCK		4-7 НЕДЕЛЬ	261
FST3253MTC	Мультиплексор / демультиплексор	FAIR
FST3253MTC	Мультиплексор / демультиплексор	FAIRCHILD
FST3253MTC	Мультиплексор / демультиплексор			80.00
FST3253MTC	Мультиплексор / демультиплексор	FAIRCHILD	3
FST3253MTC	Мультиплексор / демультиплексор	Fairchild Semiconductor
FST3253MTC	Мультиплексор / демультиплексор	4-7 НЕДЕЛЬ	467
MJD31CG	Транзистор n-p-n 3A 100В 15Вт	ON SEMICONDUCTOR
MJD31CG	Транзистор n-p-n 3A 100В 15Вт	ON SEMIC
MJD31CG	Транзистор n-p-n 3A 100В 15Вт			50.40
MJD31CG	Транзистор n-p-n 3A 100В 15Вт	ON SEMICONDUCTOR	793
MJD31CG	Транзистор n-p-n 3A 100В 15Вт	ONS
MJD31CG	Транзистор n-p-n 3A 100В 15Вт	ONS-FAIR
MJD31CG	Транзистор n-p-n 3A 100В 15Вт	0.00
MV104			647	22.08
MV104		ON Semiconductor
MV104			647	22.08
SN74CBT3253CDBQRG4		TEXAS INSTRUMENTS
SN74CBT3253CDBQRG4		Texas Instruments