Версия для печати
Технические характеристики MC100EPT23DR2
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
| Propagation Delay (Max) | 1.8ns |
| Differential - Input:Output | No/Yes |
| Выходов на канал | 1 |
| Количество каналов | 2 |
| Тип выхода | LVTTL, LVCMOS |
| Тип входа | CML, LVDS, LVPECL |
| Бит | 2 |
| Логическая функция | Translator |
| Серия | 100EPT |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
MC100EPT23 (Трансляторы уровня)
3.3V Dual Differential LVPECL / LVDS to LVTTL Translator
Также в этом файле:
MC100EPT23DR2, MC100EPT23DR2G
Производитель:
ON Semiconductor
|
