| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
MBRS540T3 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBRS540T3 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONS
|
62
|
196.31
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
|
4
|
52.00
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
ONS
|
630
|
17.14
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
|
1 000
|
14.23
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
94
|
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
TECH PUB
|
98 482
|
5.02
|
|
|
|
|
NUP2105LT1G |
|
IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23
|
DOWO
|
|
|
|
|
|
К155ЛН1 |
|
Шесть логических элементов НЕ, 201.14-1, масса не более 1 г
|
|
|
14.40
|
|
|
|
К155ЛН1 |
|
Шесть логических элементов НЕ, 201.14-1, масса не более 1 г
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
К155ЛН1 |
|
Шесть логических элементов НЕ, 201.14-1, масса не более 1 г
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
К155ЛН1 |
|
Шесть логических элементов НЕ, 201.14-1, масса не более 1 г
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
|
48
|
297.60
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
RUS
|
|
|
|