| Current - Reverse Leakage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC574DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC574DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
|
|
26.36
|
|
|
|
74HC574DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC574DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
424
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.43
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
77 904
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
309
|
3.87
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
3 737
|
2.19
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 201
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.72
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.37
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
58 604
|
2.60
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
341 344
|
1.94
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
49 980
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
48
|
1.02
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
|
11 381
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
DIOTEC
|
37
|
6.19
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
HOTTECH
|
1 328
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
OLITECH
|
1 757
|
2.45
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
YJ
|
124
|
2.34
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
JSCJ
|
380
|
1.99
|
|
|
|
BZX84C24 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=24V, Izt=5mA
|
XXW
|
20 119
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DC COMPONENTS
|
16 697
|
3.17
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES INC.
|
31
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
9 647
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PHILIPS
|
594
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIOTEC
|
20 392
|
2.53
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
|
8 743
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
HOTTECH
|
20 643
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
KLS
|
28 800
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PANJIT
|
1
|
2.85
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
YJ
|
20 757
|
2.16
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
SUNTAN
|
4 323
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
743
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
4000
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
RUME
|
21 600
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
TRR
|
2 400
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NEXPERIA
|
186
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
148
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
XXW
|
11 780
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2
|
17.90
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
|
|
48.64
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONS
|
3
|
37.75
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
32
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
FUXIN
|
7 325
|
6.72
|
|