MBR10100G
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 16K1 KC 3K | 3 000 | 14.73 | ||||||
| 16K1 KC 3K | КИТАЙ |
|
|
|||||
| 2SC3200 (KTC) | KEC |
|
|
|||||
| 2SC3200 (KTC) |
|
|
||||||
 |
 |
KNP100JR-73-4R7 |
|
Yageo | 25 | 4.16 | ||
 |
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | ONS |
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | 8 | 139.50 | ||
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | ISC | 1 576 | 83.47 | |
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | VARIOUS |
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz | JSMICRO |
|
|
|
 |
|
SQP500JB-390R |
|
Yageo |
|
|
||
|
|
|
SQP500JB-390R |
|
|
|
