| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
|
348
|
93.86
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
PMC
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISC
|
377
|
107.23
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
11 233
|
7.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 200
|
3.64
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
1 932
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
58 112
|
0.55
>1000 шт. 0.11
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
712
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
40
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
RUME
|
23 200
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SLKOR
|
1 520
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
BC3039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
18 540
|
1.05
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
14 552
|
6.49
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
|
22 400
|
4.31
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
КИТАЙ
|
93
|
17.18
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MIC
|
28 200
|
2.84
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YJ
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
35
|
7.71
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE
|
32 600
|
6.67
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
TRR
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
RUME
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
ASEMI
|
15 989
|
3.84
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
RCD
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KEEN SIDE
|
4 479
|
2.46
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KEENSIDE
|
1
|
5.93
|
|