| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
|
311
|
82.13
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
PMC
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISC
|
373
|
137.54
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
10 617
|
6.77
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
7 121
|
4.79
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
635
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
1 776
|
3.72
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
52 248
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.08
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
632
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
40
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
RUME
|
21 600
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SLKOR
|
410
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
|
BC3039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
35 112
|
7.72
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
|
7 400
|
4.31
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
КИТАЙ
|
93
|
17.18
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MIC
|
13 292
|
3.31
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YJ
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
35
|
9.31
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE
|
32 600
|
7.80
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
TRR
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
RUME
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
ASEMI
|
11 079
|
4.64
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
RCD
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KEEN SIDE
|
4 479
|
3.25
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KEENSIDE
|
1
|
7.16
|
|
|
|
|
MAL210146105E3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мФ 25 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MAL210146105E3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мФ 25 В
|
|
|
|
|