Версия для печати
Технические характеристики L6561

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Напряжение питания	11 V ~ 18 V
Current - Startup	50µA
Mode	Discontinuous (Transition)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6561 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) Power Factor Corrector Также в этом файле: L6561D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6561 datasheet 117.79Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	5 056	8.25
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		1 968	3.19
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	90 745	2.30
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 558	6.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	642	4.71
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	77 221	3.63
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	16 652	5.03
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.58
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	5.72
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	280	6.05
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	29 135	2.18
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	25 200	2.12
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	48 000	2.28
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	3 040	3.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.81
		EL817			EVERLIGHT
		EL817			EVE
		EL817				7	22.20
		EL817			EVL	664	8.93
		EL817			4-7 НЕДЕЛЬ	746
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FNR	75 989	5.67
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор			14.40
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA	472 216	6.14
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	430V 14MM
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	ALCO
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	BRIGHT RING	2 244	10.50
		MKP1V240G			ON SEMICONDUCTOR
		MKP1V240G			ONS
		MKP1V240G
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS	15	66.12
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMicroelectronics
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRO
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"