L1117L-3.3

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	FUJITSU
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	FUJI ELECTRIC
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	FAIR
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)			60.68
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	FUJI
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	FUJ
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	ГЕРМАНИЯ
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	---
2SK2645	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)	КИТАЙ
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	JAMICON
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	JAM
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С			23.60
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	YAGEO
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	JB
L1117L-1.8		NIKO SEMICONDUCTOR
L1117L-1.8		NIKO SEMICONDUCTOR
SG6841S	ШИМ-контроллер для импульсного источника питания	SGC
SG6841S	ШИМ-контроллер для импульсного источника питания			316.00
SG6841S	ШИМ-контроллер для импульсного источника питания	4-7 НЕДЕЛЬ	120
КТ3102ГМ			3 688	5.15
КТ3102ГМ		КРЕМНИЙ	936	10.58
КТ3102ГМ		МИНСК	1 600	14.70
КТ3102ГМ		НАЛЬЧИК
КТ3102ГМ		АЛЕКСАНДРОВ	1 848	8.40
КТ3102ГМ		БРЯНСК	4 856	12.60
КТ3102ГМ		ИНТЕГРАЛ	10	7.71
КТ3102ГМ		RUS
КТ3102ГМ		КРЕМН
КТ3102ГМ		2000
КТ3102ГМ		235
КТ3102ГМ		5835
КТ3102ГМ		920