| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9 984
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
|
1 177
|
23.46
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YJ
|
3 480
|
34.06
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
HOTTECH
|
3 505
|
27.44
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGJIE
|
1 280
|
28.11
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
KBU810 |
|
Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В
|
RUME
|
1 600
|
20.49
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
|
|
411.48
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050V |
|
ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
|
688
|
18.23
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
СЗТП
|
80
|
21.08
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
210
|
68.04
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
426
|
26.55
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
178
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
278
|
|
|
|
|
|
|
КД226В |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
TECH PUB
|
|
|
|
Версия для печати
