Версия для печати
Технические характеристики IRL3803L

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 71A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	140A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5000pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRL3803L (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=30V, Rds (on) =0.006ohm, Id=140AРЃРј) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRL3803L datasheet 440.11Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab	VISHAY
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab	INTERNATIONAL RECTIFIER
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab			800.00
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab	Vishay/Semiconductors
		IR4428S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс Uвых в	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4428S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс Uвых в			159.28
		IR4428S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс Uвых в	ФИЛИППИНЫ
		IR4428S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс Uвых в	4-7 НЕДЕЛЬ	688
		IRF4905S		P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF4905S		P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме			154.24
		IRF4905S		P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме	МЕКСИКА
		IRF4905S		P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме	INFINEON
		IRF4905S		P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме	CMOS	204	52.03
		IRF4905S		P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме	EVVO	1 546	42.88
		К1156ЕУ2Р				232	158.40
		К1156ЕУ2Р			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2Р			НТЦ
		К1156ЕУ2Р			РОССИЯ
		К1156ЕУ2Р			СИТ
		К1156ЕУ2Р			КРЕМНИЙ	8	253.76
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт		16	14.80
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	П/П 2
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСК
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	RUS
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	СЗТП	4	46.08
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	РОССИЯ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"