| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
YAGEO
|
1 001 800
|
0.75
>500 шт. 0.25
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805
|
|
|
3.28
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
|
3 700
|
22.48
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
6
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
SLKOR
|
12 764
|
15.23
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
JSMICRO
|
4 727
|
19.41
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
EVVO
|
3 436
|
15.74
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
380.84
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
|
112
|
24.05
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
200
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
211
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 832
|
316.50
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
|
141
|
307.48
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
501
|
|
|