|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR110 (Дискретные сигналы) 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRFR110TRL
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 680PF NPO 5% 50V |
|
|
||||||
| 74LCX74TTR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| 74LCX74TTR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| 74LCX74TTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| 74LCX74TTR |
|
|
||||||
| 74LCX74TTR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 631 |
|
|||||
|
|
74LVC1G3157GV | NXP |
|
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV | NXP | 6 000 |
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV | PHILIPS | 59 |
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV |
|
|
|||||
|
|
74LVC1G3157GV | 4-7 НЕДЕЛЬ | 760 |
|
||||
| 74LVC2G74DP | NXP |
|
|
|||||
| 74LVC2G74DP | NXP | 842 |
|
|||||
| 74LVC2G74DP |
|
|
||||||
| 74LVC2G74DP | 4-7 НЕДЕЛЬ | 680 |
|
|||||
| С5-5-8-270 ОМ-1% | 5 | 29.60 |