IRF7811W

Версия для печати

Технические характеристики IRF7811W

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 15A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2335pF @ 16V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7811W (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7811W datasheet
543.2 Кб