IRF7807D1TR


IRF7807D1TR (заказ)
IRF7807D1TR

Технические характеристики IRF7807D1TR

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияFETKY™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.3A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 5V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru