|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8676pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7410 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DG611DY |
|
|
||||||
| DG611DY | 4-7 НЕДЕЛЬ | 492 |
|
|||||
|
|
LM1084IS-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
181.16 | |||||
|
|
LM1084IS-ADJ | NSC |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM1084IS-ADJ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 556 |
|
||||
| NX3225GA-26MHZ | NDK | 1 | 22.10 | |||||
| NX3225GA-26MHZ |
|
|
||||||
| STM32F207VGT6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM32F207VGT6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F207VGT6 | 70 | 1 473.37 | ||||||
| STM32F207VGT6 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| STM32F207VGT6 | 70 | 1 473.37 | ||||||
| STM32F207VGT6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 711 |
|
|||||
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор |
|
34.00 | ||
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | RUS |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор | ----- | 320 | 289.30 |