IRF6619

Версия для печати

Технические характеристики IRF6619

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	57nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5040pF @ 10V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MX
Корпус	DIRECTFET™ MX
Other Related Documents	DirectFET MOSFET 4Ps Checklist

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6619 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6619 datasheet
290 Кб