IDT70V659S12BF

Версия для печати

Технические характеристики IDT70V659S12BF

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Объем памяти	4M (128K x 36)
Скорость	12ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	3.15 V ~ 3.45 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	208-LFBGA
Корпус	208-CABGA (15x15)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.