FSB649
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FSB649 (Универсальные биполярные NPN транзисторы) Npn Low Saturation Transistor
Производитель:
|
