Версия для печати
Технические характеристики FQP4N20L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	310pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

FQP4N20L (N-канальные транзисторные модули) 200V LOGIC N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FQP4N20L datasheet 509.23Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3314G-1-203E		Подстроечный резистор 20 кОм	BOURNS	139	21.88
		3314G-1-203E		Подстроечный резистор 20 кОм	Bourns Inc
		3314G-1-203E		Подстроечный резистор 20 кОм
		3314G-1-203E		Подстроечный резистор 20 кОм	ВОURNS
		3314G-1-203E		Подстроечный резистор 20 кОм	174
		CM322522-101KL		ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	BOURNS	3 122	28.93
		CM322522-101KL		ЧИП индуктивность 100мкГн 1210			19.84
		CM322522-101KL		ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	ВОURNS
		CM322522-101KL		ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	1
		LM431ACM3X			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM431ACM3X			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		WSL0805R1000FEA			Vishay/Dale
		WSL0805R1000FEA			VISHAY
		WSL0805R1000FEA				2 400

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"