FQP34N20


FQP34N20 (заказ)
FQP34N20

Технические характеристики FQP34N20

Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 15.5A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияQFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C31A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3100pF @ 25V
Power - Max180W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru