FQA9N50
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус | TO-3P |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10А/250В,123°C |
|
|
||||||
| 10А/250В,123°C | КИТАЙ | 40 | 74.18 | |||||
 |
 |
BQ24751RHDR |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
BQ24751RHDR |
|
|
|
|||
|
|
|
BQ24751RHDR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 286 |
|
||
| FQA9P25 | FAIR |
|
|
|||||
| FQA9P25 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FQA9P25 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FQA9P25 |
|
|
||||||
| STK411-230E | SANYO |
|
|
|||||
| STK411-230E |
|
1 078.80 | ||||||
| STK411-230E | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| STK411-230E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 412 |
|
|||||
| TEA1611T | NXP |
|
|
|||||
| TEA1611T |
|
|
||||||
| TEA1611T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 387 |
|
