FDS9435A
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 528pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS9435A (Мощные полевые МОП транзисторы) Single P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 10 ОМ 5% (CR-06J-7...10R) | EXTRA | 7 733 |
0.63 >500 шт. 0.21 |
|||||
| 1206 10 ОМ 5% (CR-06J-7...10R) | RCT | 7 918 |
0.63 >500 шт. 0.21 |
|||||
| 2SD2098R | ROHM |
|
|
|||||
| 2SD2098R |
|
|
||||||
 |
BC847BDW1T1G | ON SEMICONDUCTOR | 12 | 9.44 | ||||
|
|
BC847BDW1T1G | ONS |
|
|
||||
|
|
BC847BDW1T1G |
|
|
|||||
|
|
BC847BDW1T1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||||
 |
|
MAX713CPE+ |
|
Контроллер ускоренного заряда NiCd/NiMH батарей | MAXIM |
|
|
|
|
|
|
MAX713CPE+ |
|
Контроллер ускоренного заряда NiCd/NiMH батарей | MAX |
|
|
|
|
|
|
MAX713CPE+ |
|
Контроллер ускоренного заряда NiCd/NiMH батарей | Maxim Integrated Products |
|
|
|
 |
|
TAJD337K010RNJ |
|
AVX Corporation |
|
|
||
|
|
|
TAJD337K010RNJ |
|
AVX |
|
|
||
|
|
|
TAJD337K010RNJ |
|
|
386.00 | |||
|
|
|
TAJD337K010RNJ |
|
KYOCERA-AVX |
|
|
