| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1620pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1201CRZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 25M бит/с, макс.задержка 45нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1201CRZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 25M бит/с, макс.задержка 45нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
|
1
|
401.45
|
|
|
|
ADUM1201CRZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 25M бит/с, макс.задержка 45нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1201CRZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 25M бит/с, макс.задержка 45нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1201CRZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 25M бит/с, макс.задержка 45нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1201CRZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 25M бит/с, макс.задержка 45нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
120
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
YAGEO
|
369 363
|
1.03
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
|
|
12.00
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
YAGEO
|
2 369
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
|
6 920
|
15.78
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8 666
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
9 852
|
23.76
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON / IR
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
RUME
|
6 480
|
18.85
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
89
|
1
|
20.51
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...
|
|
|
520.00
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
721
|
|
|
|
|
|
ЧИП 0805 12.4K 1% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|