| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SMT |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
DC COMPONENTS
|
128 928
|
1.46
|
|
|
|
|
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
NXP
|
1 692
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V6 |
|
Стабилитрон 0,5W, 3,6V
|
KEEN SIDE
|
20 428
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
DC COMPONENTS
|
253 596
|
1.71
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
711
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NEXPERIA
|
34
|
1.52
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
KEEN SIDE
|
7 411
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
|
FQA9N90 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQA9N90 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQA9N90 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
8
|
138.75
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
3 071
|
57.84
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ28A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 28V SMA
|
ST MICROELECTRONICS
|
403
|
10.50
|
|
|
|
|
SMAJ28A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 28V SMA
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ28A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 28V SMA
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ28A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 28V SMA
|
|
|
|
|
Версия для печати
