| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
23 215
|
1.03
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
|
348
|
10.08
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
SMTC
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
XXW
|
|
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DC COMPONENTS
|
22 680
|
1.17
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
|
|
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KEEN SIDE
|
9 738
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KEENSIDE
|
2 224
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
|
15 104
|
1.39
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
80
|
5.47
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
EIC
|
275
|
1.61
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
24
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KLS
|
8 400
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
1 306
|
1.21
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GEMBIRD
|
24 192
|
1.06
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
344
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ДНЕПР
|
965
|
212.00
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
|
369
|
234.36
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
СЗТП
|
52
|
530.94
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САПФИР
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ПО "ДНЕПР"
|
236
|
299.63
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
20
|
|
|
|