BZX79-B18
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 12.6V |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 45 Ohm |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Корпус | ALF2 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX585-B39 | NXP |
|
|
|||||
| BZX585-B39 | NXP |
|
|
|||||
| MF-0.25 3.0 1% |
|
|
||||||
| MF-0.25 3.0 1% | КИТАЙ |
|
|
|||||
| MF-0.25-1.0 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-0.25-1.0 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | 16 | 2.80 | ||||
 |
 |
MF-0.25-10 1% |
|
Резистор металлодиэлектрический 0.25Вт, 10Ом, 1 % | CHINA |
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-10 1% |
|
Резистор металлодиэлектрический 0.25Вт, 10Ом, 1 % |
|
2.80 | ||
 |
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONS | 985 | 98.30 | |
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A |
|
76.64 | ||
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR | 82 |
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | YJ |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | 1 |
|
|
