BZX55-C7V5

Версия для печати

Технические характеристики BZX55-C7V5

Производитель	DC Components Co., Ltd.
Количество в упаковке	5000 шт.
Вес	0.146 г
Voltage - Withstanding	7.5 В
Voltage - Working	53 мА
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	7 Ом
Voltage Range	5 мА
Корпус (размер)	DO-35
Рабочая температура	-65...175 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BZX55C7V5 (Стабилитроны)

500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage

Производитель:
Synsemi Semiconductor
//www.synsemi.com

BZX55-C7V5 datasheet
294.43Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206	YAGEO	351 304	1.98 >100 шт. 0.99
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206			2.04
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206KRX7R9BB103	Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
LG350M0150BPF-2240	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В	YAGEO
LG350M0150BPF-2240	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В
LG350M0150BPF-2240	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
LG350M0150BPF-2240	Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz	MICRO CHIP
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz	Microchip Technology
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz			1 148.80
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz	MICRO CHIP
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	366
SK350M0033B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 350 В	YAGEO	98	9.95
SK350M0033B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 350 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK350M0033B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 350 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	671	63.74
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		4 000	32.13
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623