Версия для печати
Технические характеристики BZV85-C47

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	47V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 50mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	50nA @ 33V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	1.3W
Impedance (Max) (Zzt)	100 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	DO-41
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

BZV85 Voltage regulator diodes Также в этом файле: BZV85-C47 Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BZV85-C47 datasheet 57.48Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B64290-L743-X87		Кольцо-ферритовое Форма, материал: тороид, N87, 1190 нГ ±25% Размер: радиус 16мм, 9х5мм	EPCOS
		B64290-L743-X87		Кольцо-ферритовое Форма, материал: тороид, N87, 1190 нГ ±25% Размер: радиус 16мм, 9х5мм	EPCS
		B64290-L743-X87		Кольцо-ферритовое Форма, материал: тороид, N87, 1190 нГ ±25% Размер: радиус 16мм, 9х5мм
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	7.56
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	4 540	2.21
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	5 851	3.13
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		4	2.52
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	477 503	1.62  >100 шт.   0.81
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	130 157	1.58  >100 шт.   0.79
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	317 217	1.14
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	184 202	1.04  >100 шт.   0.52
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	78 252	1.62
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP	44
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS	92
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS SEMIC
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NEX-NXP
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP/NEXPERIA
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	4-7 НЕДЕЛЬ	348
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET			13.76
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	МАЛАЙЗИЯ
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INFINEON
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HOTTECH	84 515	4.13
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KLS
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	SUNTAN	16 688	7.42
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEENSIDE	5 746	3.70
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	YOUTAI	21 222	3.97
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА	MICRO CHIP	1 698	59.24
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА		711	69.73
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА	Microchip Technology
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА	4-7 НЕДЕЛЬ	430

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"