BZT52C2V4S-7
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 1V |
| Допустимые отклонения емкости | ±8.33% |
| Power - Max | 200mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 100 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-76, SOD-323 |
| Корпус | SOD-323 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Tolerance | ±8.33% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADM6320CY29ARJ | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
 |
 |
FX12B-24P-0.4SV |
|
Hirose Electric Co Ltd |
|
|
||
|
|
|
FX12B-24P-0.4SV |
|
|
|
|||
 |
|
FX12B-24S-0.4SV |
|
Hirose Electric Co Ltd |
|
|
||
|
|
|
FX12B-24S-0.4SV |
|
|
|
|||
| IRF9383MTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | США |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C |
|
592.00 | ||||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
