BUT12AI

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BUT12AI	1	161.28

Версия для печати

Технические характеристики BUT12AI

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 860mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	14 @ 1A, 5V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BUT12AI (Мощные биполярные транзисторы)

Silicon Diffused Power Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BUT12AI datasheet
69.15Kb
7стр.