|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 68A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Power - Max | 142W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRFR120Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | 4 | 225.09 | |
|
|
|
IRFR120Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
||
|
|
|
IRFR120Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFR120Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | EVVO | 8 752 | 5.42 | |
| PBSS4540X | NXP |
|
|
|||||
| PBSS4540X | NXP | 1 836 |
|
|||||
| PBSS4540X |
|
|
||||||
| PBSS5540X | NXP |
|
|
|||||
| PBSS5540X | NXP |
|
|
|||||
| PBSS5540X |
|
|
||||||
| SH050M0680B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH050M0680B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH050M0680B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
|
TDA7502 |
|
STMicroelectronics |
|
|