| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| SCR Type | Standard Recovery |
| Voltage - Off State | 500V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.75V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 7.5A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 12A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 15mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 20mA |
| Current - Off State (Max) | 500µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 100A, 110A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
США
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
2 782
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
FCS
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
ONS
|
8 000
|
71.29
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
LIT
|
1 240
|
21.20
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
LITE-ON
|
54
|
25.85
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
UMW
|
2 960
|
13.43
|
|
|
|
|
MOC3063M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль
|
YOUTAI
|
12 788
|
13.70
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
886
|
36.80
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
415
|
210.00
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД522 (1N4148) |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Г |
|
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Г |
|
|
|
124
|
92.00
|
|
|
|
|
КТ117Г |
|
|
УЛЬЯНОВСК
|
483
|
260.40
|
|
|
|
|
КТ117Г |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Г |
|
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Г |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Г |
|
|
УРЛЗ
|
11
|
361.62
|
|
|
|
|
КТ 3107 А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
