|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | SIPMOS® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 260mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 108µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 97pF @ 25V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SOT-89-3 |
Корпус | PG-SOT89-4 |
BSS87 (MOSFET) N-канальный D-MOS транзистор режима вертикального повышения
Производитель:
|
|