BFR92AW

Версия для печати

Технические характеристики BFR92AW

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Frequency - Transition	5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Power - Max	300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	65 @ 15mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	25mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ADA-4543-BLKG		Avago Technologies US Inc
ADA-4543-BLKG		AVAGO
ADA-4543-BLKG		BRO/AVAG
ADA-4543-BLKG		BROADCOM
BD242A-SGS		ST MICROELECTRONICS
BD242A-SGS				51.56
BD242A-SGS		STMICROELECTRONICS
GRM32DR61E106KA12L	Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В	MURATA
GRM32DR61E106KA12L	Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В	Murata Electronics North America
GRM32DR61E106KA12L	Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В	MURATA
GRM32DR61E106KA12L	Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В	MUR	6 643	5.61
GRM32DR61E106KA12L	Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
MCP602-I/P	2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us	MICRO CHIP
MCP602-I/P	2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us			94.56
MCP602-I/P	2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us	Microchip Technology
MCP602-I/P	2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us	ТАИЛАНД
MCP602-I/P	2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	575
КФ1158ЕН9В				95.04
КФ1158ЕН9В		НТЦ СИТ	80	136.64
КФ1158ЕН9В		СИТ	420	180.20
КФ1158ЕН9В		НТЦ
КФ1158ЕН9В		NO TRADEMARK
КФ1158ЕН9В		262
КФ1158ЕН9В		263