BFG520

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFG520		8.00
BFG520 (PHILIPS.)	438	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BFG520

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Frequency - Transition	9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Power - Max	300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 20mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max)	70mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-253-4, TO-253AA
Корпус	SOT-143B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	NXP
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	PHILIPS
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт			61.20
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	PHILIPS
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	ISCSEMI
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	ISC	642	29.58
LMC7211AIM5/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMC7211AIM5/NOPB				114.80
LMC7211AIM5/NOPB		NSC
LMC7211AIM5/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR	281
LMC7211AIM5/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS
LMC7211AIM5/NOPB		TEXAS
LMC7211AIM5/NOPB		4-7 НЕДЕЛЬ	584
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD	BOURNS
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD			172.00
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD	Bourns Inc
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD	ВОURNS
КВ109А	2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц		82	3.68
КВ109А	2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц	ДНЕПР
КТ645А			553	4.42
КТ645А		КРЕМНИЙ
КТ645А		МИНСК	1 280	7.16
КТ645А		RUS
КТ645А		ИНТЕГРАЛ	800	12.49
КТ645А		ТРАНЗИСТОР	1 200	17.56
КТ645А		АЛЕКСАНДРОВ
КТ645А		1600