BFG198

Версия для печати

Технические характеристики BFG198

Frequency - Transition	8GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFG198 (Радиочастотные биполярные транзисторы)

Npn 8 Ghz Wideband Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BFG198 datasheet
99.45Kb
12стр.